SK海力士DDR5-6400內(nèi)存芯片細(xì)節(jié)曝光：密度翻番
我們都知道，玩家對于內(nèi)存的頻率追求是沒有上限的，因此廠商們都在不斷的去努力提高。就在近日，SK海力士就公布了旗下第一顆DDR5-6400內(nèi)存芯片，頻率高達(dá)6400MHz，是現(xiàn)在多數(shù)DDR4內(nèi)存的兩倍左右，而且單顆容量為16Gb(2GB)。
而且根據(jù)SK海力士官方的介紹，他們的這種DDR5-6400內(nèi)存采用1ynm工藝制造，也就是第二代10nm級別工藝(DRAM工藝現(xiàn)在極少明確到個(gè)位數(shù))，四個(gè)金屬層，面積為76.22平方毫米。這是什么概念呢？意思就是SK海力士此前的第一代21nm工藝8Gb(1GB) DDR4內(nèi)存芯片面積是76平方毫米，等于如今在同樣的面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了兩倍的容量，存儲密度翻了一番，可謂是十分的恐怖了。
當(dāng)然了，翻番的存儲密度可以有效抵消上漲的成本，更何況還可以做出更小的4Gb芯片。另外，新內(nèi)存的工作電壓僅為1.1V，相比于DDR4標(biāo)準(zhǔn)的1.2V又降低了大約8％，而很多高頻DDR4內(nèi)存都要加到1.35V甚至是很危險(xiǎn)的1.5V。
而根據(jù)此前的信息來看，目前，三星電子、SK海力士、美光等巨頭都在沖刺DDR5，但是行業(yè)規(guī)范遲遲沒能定下來，原計(jì)劃2018年底出爐的標(biāo)準(zhǔn)至今還沒有確定，而且JEDEC組織一直沒有給出新的時(shí)間表。而在另一方面，針對智能手機(jī)等低功耗便攜式設(shè)備的LPDDR5都已經(jīng)搞定了。
原標(biāo)題：SK海力士DDR5-6400內(nèi)存細(xì)節(jié)：密度翻番
責(zé)任編輯：李曉靈
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