固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)公布LPDDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)：頻率6400 MT/s
據(jù)外媒報(bào)道，固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)近日公布了LPDDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)：JESD209-5，是全新的低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。
LPDDR5的I/O速度將會(huì)達(dá)到6400 MT/s，也就是說DRAM速度會(huì)達(dá)到6400Mbps，這將大大提高各種應(yīng)用的內(nèi)存速度和效率，包括智能手機(jī)，平板電腦等移動(dòng)計(jì)算設(shè)備和超薄筆記本電腦等產(chǎn)業(yè)都將受益。
據(jù)悉，上一代LPDDR4初始標(biāo)準(zhǔn)I/O速度為3200 MT/s ，這次直接翻了一倍，LPDDR5有望對(duì)下一代便攜式電子設(shè)備的性能和功能產(chǎn)生巨大影響，而為了實(shí)現(xiàn)這種性能提升，LPDDR5架構(gòu)進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)向16 Bank可編程和多時(shí)鐘體系結(jié)構(gòu)。
此外，為滿足汽車等相鄰市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)可靠性的要求，LPDDR5還在SoC和DRAM之間的接口上引入了鏈路糾錯(cuò)碼（ECC）的支持。
原標(biāo)題：LPDDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)公布：頻率達(dá)到6400 MT/s
責(zé)任編輯：李曉靈
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