三星首發(fā)LPDDR5內(nèi)存芯片 頻率高功耗低
7月17日上午三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級（10~20nm）工藝。該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容量8Gb（1GB），8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
功耗方面，比LPDDR4X降低高達(dá)30%，主要是得益于動態(tài)調(diào)節(jié)電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術(shù)加入。
三星的8Gb LPDDR5規(guī)格彈性較高，1.1V工作電壓下可達(dá)6400Mbps，1.05V下可達(dá)5500Mbps，供手機(jī)、車載平臺自行選擇。
新的8Gb LPDDR5內(nèi)存芯片是三星高端DRAM產(chǎn)品線的一部分，后者已經(jīng)包括10nm級的16Gb GDDR6顯存芯片（2017年12月量產(chǎn)）和16Gb DDR5內(nèi)存芯片（今年2月份開發(fā)完成）。
三星將在位于韓國平澤市的工廠量產(chǎn)LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。
原標(biāo)題：三星首發(fā)LPDDR5內(nèi)存芯片 頻率高功耗低
責(zé)任編輯：李曉靈
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