三星GALAXY S7新技術(shù)曝光 配5.2寸4K屏
[摘要]明年三星將全面引入Type-C及USB PD標(biāo)準(zhǔn)，這意味著S7將擁有更快的充電速度。
此前傳出三星GALAXY S7已經(jīng)開始測試的消息，并且有望再次重啟雙處理器平臺(tái)策略，至于其他可能裝載的新技術(shù)則沒有更多的消息。而現(xiàn)在，根據(jù)網(wǎng)友@i冰宇宙在微博上披露的消息稱，UFS2.1將在今年下半年量產(chǎn)，預(yù)計(jì)三星GALAXY S7將會(huì)首先搭載這項(xiàng)新技術(shù)，并且明年的三星智能手機(jī)將全面引入Type-C以及USB PD標(biāo)準(zhǔn)，這意味著未來的GALAXY S7將擁有更快的充電速度。
支持UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)
按照網(wǎng)友@i冰宇宙在微博上的說法，2016年UFS2.0和emmc 5.1將在旗艦機(jī)型中得到普及，但三星GALAXY S7在閃存技術(shù)方面應(yīng)該依然會(huì)快人一步。由于UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)的閃存將在今年下半年量產(chǎn)，因此預(yù)計(jì)將會(huì)首先使用到三星GALAXY S7上。
不過，目前還沒有UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)閃存技術(shù)的更多信息被曝光，但相信應(yīng)該比現(xiàn)在應(yīng)用到三星GALAXY S6等機(jī)型的UFS2.0標(biāo)準(zhǔn)的閃存技術(shù)擁有更快的速度和更低的功耗，而這也意味著未來的GALAXY S7將會(huì)帶來更出色的性能表現(xiàn)和更快的手機(jī)讀取速度。
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