磁阻內(nèi)存（MRAM）技術將數(shù)據(jù)存儲時間增至20年

來源:威鋒網(wǎng) 2014-01-02 09:55 http://m.d-black.cn/ 海峽都市報電子版

[摘要]目前，很多設備使用的靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和閃存等都各有自己的優(yōu)缺點。比如 SRAM 存儲速度快但是不穩(wěn)定，這意味著電源被切斷時，存儲的數(shù)據(jù)會丟失。MRAM 技術則融合了這三種存儲的優(yōu)點，而去掉了它們的缺點。

　　早在2005年，物理學教授Johan Åkerman已經(jīng)提出了磁阻內(nèi)存（magnetoresistive random access memory，MRAM）是一個具有發(fā)展前景的“通用存儲器”。那些通常附在現(xiàn)代電子設備中的各式存儲器均可以使用通用存儲器替代。新加坡國立大學（National University of Singapore，NUS）的一個研究團隊和沙特阿拉伯的阿卜杜拉國王科技大學（King Abdullah University of Science and Technology，KAUST）現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)了一種新型的MRAM，使Åkerman的愿望變成現(xiàn)實。

　　目前，很多設備使用的靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和閃存等都各有自己的優(yōu)缺點。比如SRAM存儲速度快但是不穩(wěn)定，這意味著電源被切斷時，存儲的數(shù)據(jù)會丟失。MRAM技術則融合了這三種存儲的優(yōu)點，而去掉了它們的缺點。它提供更大的存儲密度，但是降低了能源損耗，而且即使電源被切斷，它也可以保存數(shù)據(jù)。毫無疑問，它的價格也更貴。

　　現(xiàn)在使用的MRAM技術是由兩個鐵磁板形成的磁存儲元件來存儲數(shù)據(jù)，這兩個鐵磁板被一層薄薄的絕緣層分隔開。但是這些厚度小于1納米的絕緣層很難制造可靠性，因此也對MRAM的可靠性造成了影響，因此存儲器中的數(shù)據(jù)保存時間少于一年。

　　該研究團隊開發(fā)的磁阻內(nèi)存使用一種與磁的多層結構結合的膜結構替代了磁鐵板，這些膜結構有20納米厚。研究員稱，這項技術使得數(shù)據(jù)可以保存至少20年時間，這樣為下一代MRAM芯片的廣泛應用提供了可能性。

　　帶領整個團隊的YangHyunsoo稱，從消費者的角度看，他們的開機速度將非?？炝?。存儲空間增加，內(nèi)存將提高，用戶不必經(jīng)常使用“保存”按鈕來刷新數(shù)據(jù)了。使用較大存儲器的設備能保存數(shù)據(jù)至少20年或者更多的時間?，F(xiàn)在人們較多依賴于移動設備，因此幾乎每天都要給它們充電，但是如果這些設備使用這項技術的話，可能每周只需充電一次就可以了。

　　研究員相信這項重大突破將改變計算機架構，使生產(chǎn)成本更低。他們計劃將這項新結構應用于存儲單元中，希望能開發(fā)出一種“軌道自旋的扭矩為基礎的MRAM”。