作為當(dāng)前的半導(dǎo)體晶圓代工一哥，臺(tái)積電的發(fā)展方向無(wú)疑是最受關(guān)注的，未來(lái)的工藝逐漸逼近1nm節(jié)點(diǎn)了，還能不能發(fā)展下去，來(lái)看臺(tái)積電最新公布的路線圖。

　　在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)系統(tǒng)論壇上，臺(tái)積電公布了未來(lái)幾年的邏輯工藝路線圖，以今年2025為中心，當(dāng)前量產(chǎn)的FinFET技術(shù)路線的工藝是3nm的，包括有N3、N3E、N3P、N3X及N3C。

　　2nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始使用Nanosheet晶體管，也就是GAA環(huán)繞柵極晶體管的具體實(shí)現(xiàn)，今年量產(chǎn)的是N2，率先確認(rèn)用上這個(gè)工藝的反而是AMD的Zen6架構(gòu)EPYC處理器，明年才上市。

　　后續(xù)還會(huì)有N2P及N2X工藝，但在這中間會(huì)有個(gè)A16 SPR工藝，SPR代表的是臺(tái)積電的背面供電技術(shù)Super Power Rail，跟Intel的PowerVia據(jù)說(shuō)有很大不同，技術(shù)上更先進(jìn)，不過(guò)具體效果等量產(chǎn)了才能準(zhǔn)確對(duì)比。

　　A16 SPR其實(shí)就是最初規(guī)劃的2nm工藝，但期間有種種調(diào)整，臺(tái)積電把GAA與背部供電技術(shù)錯(cuò)開(kāi)量產(chǎn)，而不是像三星、Intel那樣在同一代工藝上量產(chǎn)。

　　再之后的A14節(jié)點(diǎn)會(huì)是一個(gè)重大更新，GAA與背部供電技術(shù)于一體，性能及能效更好看一些。

　　臺(tái)積電公布這份路線圖是為了證明他們有能力在未來(lái)幾年中保持每年更新工藝，且每代工藝的性能及能效都會(huì)有差不多的提升，這是在給客戶信心。

　　以2018年的7nm節(jié)點(diǎn)N7為基準(zhǔn)，每代工藝在同樣的功耗下性能提升都差不多，在15-18%之間，而同性能下功耗也會(huì)大幅下降，N7到N3每代都降低了1/3以上，不過(guò)N3到未來(lái)的A14工藝每代降低1/4左右。

　　對(duì)比N7，臺(tái)積電提到A14工藝同功耗下提升83%的性能，能效則是3.2倍提升。

　　也就是說(shuō)從2018到2028年的10年中，芯片工藝的性能提升大約是80%，這個(gè)數(shù)據(jù)怎么說(shuō)呢，如果還想對(duì)比摩爾定律，那顯然是很讓人失望的，不過(guò)業(yè)界也很清楚，28nm節(jié)點(diǎn)之后摩爾定律就逐漸失效了，能有80%的性能提升已經(jīng)很不容易了。

　　2018年N7代表處理器是蘋果A12，頻率最高也就2.5GHz，晶體管數(shù)量69億，當(dāng)前的A18 Pro處理器能做到4GHz頻率，200億晶體管，距離未來(lái)的A14節(jié)點(diǎn)還有兩三代工藝，5GHz頻率、300億晶體管規(guī)模應(yīng)該是可以期待一下的。